给出了BT/FSR-F80纳米复合材料TEM-EDX图。可以发现，Ba与Ti几乎全部分布于纳米粒子区域，这是由于Ba与Ti只由钦酸钡纳米粒子贡献。O主要分布于纳米粒子区域，除钦酸钡纳米粒子提供O，过氧化氢、交联剂、硅烷偶联剂、氟硅橡胶基体中均含有O。硅烷偶联剂接枝在BT纳米粒子表面，氟硅橡胶以共价键锚定在BT纳米粒子表面;其次，氟硅橡胶基体也存在大量Si，因此，Si分布较为平均。S主要由硅烷偶联剂和交联剂的琉基贡献，前者主要分布在BT纳米颗粒区域，后者则在基体中。F的唯一来源为氟硅橡胶基体中的三氟丙基，其分布状态证明较为致密的氟硅橡胶包覆在BT纳米粒子表面。高填充BT/FSR纳米复合材料的介电性能为氟硅橡胶和不同三氟丙基含量BT/FSR纳米复合材料的介电性能。可以发现，纳米复合材料的介电常数随着三氟丙基含量升高逐渐增加，同时4种纳米复合材料同纯硅橡胶一样，介电常数对频率的弱依赖性，如Fig.7a所示。在103 Hz下，氟硅橡胶介电常数仅为2.5，而88% BT/SR纳米复合材料介电常数为36.2，介电常数增加约12.5倍。引入三氟丙基至纳米复合材料后，BT/FSR-F30, BT/FSR-F60和BT/FSR-F80纳米复合材料的介电常数依次为44.2,50.5和60.1，与氟硅橡胶相比，介电常数分别提高了约16倍、19倍和23倍，与88% BT/SR纳米复合材料相比，介电常数提升了23.9，如Fig.7c所示。表明通过调控纳米复合材料中基体的三氟丙基含量能有效提升其介电常数。其次，纯氟硅橡胶的介电损耗较低，并表现出较弱频率依赖性，但随着三氟丙基占比增多，纳米复合材料介电损耗增加，且其频率依赖性逐渐增大，如Fig.7b所示。在103 Hz下，氟硅橡胶介电损耗约为0.01，虽然纳米复合材料介电损耗随着三氟丙基含量升高而增加，BT/FSR-F80纳米复合材料介电损耗仍低于0.03。